Trench-Gate IGBT 3D

در این نیمه دوم از یک مثال دو قسمتی، یک مدل سه بعدی از یک IGBT دروازه ترانشه با اکسترود کردن مدل دو بعدی از نیمه اول ساخته شده است. برخلاف مدل دوبعدی، اکنون می‌توان تابش‌های متناوب n+ و p+ را در جهت اکستروژن مانند دستگاه واقعی مرتب کرد. این ترتیب واقعی تر منجر به توافق کمی بهتر با داده های تجربی می شود. چگالی جریان کلکتور محاسبه شده به عنوان تابعی از ولتاژ کلکتور به خوبی با نتیجه منتشر شده مطابقت دارد.

In this second half of a two-part example, a 3D model of a trench-gate IGBT is built by extruding the 2D model from the first half. Unlike the 2D model, now it is possible to arrange the alternating n+ and p+ emitters along the direction of extrusion as in the real device. This more realistic arrangement leads to better quantitative agreement with experimental data. The computed collector current density as a function of the collector voltage agrees reasonably well with the published result.